南韓三星半導體5月5日上午在KAIST舉行一場論壇，三星設備解決方案部門總裁慶桂顯提出三星半導體將趕上台灣競爭對手台積電的未來願景。
三星4奈米技術比台積電落後約2年
慶桂顯承認三星的代工技術落後台積電。他解釋說，三星的4奈米技術比台積電落後大約兩年，而其3奈米工藝比對手落後大約一年。
不過，總裁解釋說，三星現在有優勢，該公司可以在5年內超越台積電，他會有這種願景，是因為三星打算從3奈米工工藝開始使用Gate All Around (GAA) 技術。相比之下，台積電要等到2奈米工藝才會採用 GAA，三星相信這種落差將使其趕上台灣對手。
「環繞式閘極」（GAA）是一種晶片製程工藝，可以使三星生產的晶片比台積電目前工藝生產的晶片更小45％，且能耗可以少50％。
兩家公司將約在同一時間推出2奈米技術
科技新聞網站《Wccftech》報導，南韓科技巨頭三星電子旗下半導體事業主管慶桂顯5日發下豪語，三星將在5內年超越全晶圓代工龍頭台積電。
南韓最大企業三星電子認為，兩家公司將大約在同一時間推出下一代2奈米半導體製造工藝，但是現在，三星擁有實施 GAA 晶體管的優勢，三星可以在五年內擊敗台積電。
三星已經是全球最大記憶體晶片製造商，但是正在加倍努力，希望在代工晶片製造領域佔據領先地位，強敵台積電長期稱霸晶圓代工市場。
三星2023年將採用3奈米GAA技術
三星電子的目標是，2023年採用3奈米工藝技術「環繞式閘極」（Gate All Around，GAA）電晶體，來縮小自身與台積電之間技術差距。
除總裁外，三星晶圓代工事業總裁崔世英（Choi Si-young）也在南韓舉行的論壇上發表演講，這次活動在大田的南韓科學技術院（KAIST）舉行，高管回答與會者有關三星晶片業務狀況及未來計劃的問題。
崔世英坦承，目前台積電在晶片製造方面遠遠領先三星，他認為三星需要5年時間才能趕上並擊敗台積電，儘管這兩家公司目前都在生產3奈米晶片。
2家公司目前都在生產3奈米晶片
雖然這些技術的名稱類似，但是它們在設計結構卻大不相同，因為三星利用更新穎的GAA技術製造電晶體，而台積電依賴久經考驗的「鰭式場效電晶體」（FinFET）架構。
崔世英博士認為，採用GAA是重要關鍵，他認為三星的4奈米技術比台積電落後2年，而3奈米技術落後一年。他說，當台積電轉向2奈米工藝時，情況會發生轉變，因為台積電計劃從2奈米製程開始使用GAA電晶體，而三星已經使用GAA工藝技術製造3奈米晶片的經驗。
崔博士說，三星通過GAA製造晶片獲得的經驗，能夠使三星在5年內超越台積電，這個結論是假設台積電轉向新技術時會遇到困難。台積電的目標是，在2025年生產採用先進技術製造晶片，三星也有類似的時間表。
三星相信其記憶體晶片部門能夠戰勝輝達GPU
崔博士還強調，三星的晶圓代工客戶數量持續增長，重點放在關鍵的全球技術上；「客戶稱讚三星的3奈米GAA工藝，我不能說出任何公司的名字，但現在幾乎所有知名公司都與我們合作。」他說。
這位三星高管不僅對本公司新的晶片製造技術抱持樂觀態度，而且他還相信在人工智慧（AI）競賽方面，三星相信其記憶體晶片部門能夠戰勝美國晶片設計大廠輝達（NVIDIA）的GPU（顯卡）。
三星是世界上最大的記憶體晶片製造商，而輝達設計的GPU推動時下最夯聊天機器人應用程式ChatGPT的快速崛起。
美國晶片法案（CHIPS）規定，凡是領取補助的公司，都不能在中國開設新廠，對此，崔世英認為，政策具有限制性，但不會影響三星整體晶片製造業務。
