三星獲得美國補助比台積電多320億 岸田文雄訪台積電熊本廠表大力支持

半導體

南韓三星在美國的新晶圓廠將獲得60億美元補助,使其在美投資金額將來到440億美元,約1.4兆台幣,而三星獲得的補助比台積電還多10億美元,而南韓海力士4日宣布在美國印第安那州建設AI晶片用的高頻寬記憶體(HBM),預計也將得到美國政府補貼,雖然台積電在美國投資設廠似乎不如預期,但日本首相岸田文雄6日到訪熊本廠,大力讚揚台積電對日本半導體、汽車產業的貢獻。

外電報導,韓國三星赴美國德州泰勒市(Taylor)設廠,並且加碼到440億美元,合計約1.4兆台幣,等於是泰勒2廠,三星2021年斥資170億美元在泰勒市興建一座晶片工廠,預計今年底量產,這次算是「加碼」。

韓國三星蓋德州二廠,將得到60億美元補助

報導引述知情人士透露,三星預計4月15日在泰勒市當地召開記者會宣布此消息,目前對外不予回應,值得一提的是,三星已獲得美國政府引《晶片法》給予60億美元補貼,比台積電多出10億美元,當然,美國本土廠英特爾獲得補助最高,一共有85億美元補貼和110億美元貸款。

無獨有偶,SK海力士4日宣布,將在印第安納州西拉皮埃特(West Lapiet)建造AI內存先進封裝生產基地,一座高頻寬記憶體(HBM)廠,並與普渡大學等當地研究機構合作進行半導體研發,這將是美國本土第一座AI先進封測廠。

韓國的媒體也跟著報導,SK海力士將投資5.2兆韓元、約40億美元在印第安納州建造高頻寬記憶體(HBM)廠,預計2028年量產,並計畫取得美國政府補助,以目前已獲得美國政府530億美元晶片法補助半導體廠總額扣除,海力士還有超過100億美元的補貼空間。

海力士第一個HBM廠,蓋在美國印地安州

在去年第四季,海力士高層對媒體詢問設置高頻寬記憶體(HBM)三緘其口,沒想地第一座就設在美國,顯然是預備接先進AI晶片的單,然而設定2028年量產,可能預設要接三星自己的單。

AI晶片已成了全球一線半導體廠最新戰場,台積電的先進封測廠將有兩座,而韓國廠則在美國設先進封測廠。

台積電在美國廠看似進度受阻,獲得補貼也無法和他國廠相比,但在日本卻獲得政府大力的支持。日本首相岸田文雄雖然沒辦法親自參加2月底台積電熊本廠揭牌,卻在4月6日前往台積電熊本廠參訪,和台積電總裁魏哲家交換意見。

日本首相岸田文雄(左4)於6日前往日本台積電熊本廠參訪,與台積電總裁魏哲家(左3)交換意見。(台積電提供)

台積電表示,岸田文雄本月6日蒞臨JASM,與台積公司、JASM、索尼半導體解決方案公司(Sony Semiconductor Solutions Corporation, SSS)、電裝株式會社(DENSO Corporation)以及熊本當地企業進行會談,藉以了解JASM目前進度及對熊本當地帶來的效應。

日本政府力挺台積電,已給4千億台幣補助

岸田文雄致詞時指出,台積電熊本設廠對日本整體產生很大的外溢效應,「不光是半導體產業,對電動汽車等多數產業來說都是重要的計畫」,此外正逢花蓮4月3日發生大地震,岸田文雄也表達慰問之意。

在岸田首相到訪之際,魏哲家也證實,台積電日本第二工廠預定落腳熊本菊陽町,並再次感謝日本政府大力支持,與當地企業建立堅固的關係。日本政府將補助台積電熊本二廠7,320億日圓(約1547億台幣),等於單一個廠就超過1千億台幣,熊本一廠獲得2566億台幣補貼,然而在美國是2個廠僅獲得1千多億台幣補助。

台積電熊本一廠將於今年底量產,目前在地採購僅25%,因此魏哲家在致詞時說,熊本一廠預計於2030年,達到在地採購率6成之上,共同振興日本半導體。