外媒近日報導指出，中國最大晶圓代工大廠中芯國際使用較舊的光刻機台（lithography），來幫助華為新的5nm（5奈米）晶片，即使良率只有20％，但是這仍然可能讓美國聯邦國會議員感到擔憂。
外國科技新聞媒體《phonearena》報導，中國最大的晶圓代工廠中芯國際（SMIC）也是全球第三大晶圓代工廠商。由於受到美國和荷蘭的制裁，這家晶圓代工廠無法獲得最先進的光刻機台。
華為手機Pura 70內建5奈米晶片
由於中芯無法使用極紫外光刻機 (EUV) 將電路圖案轉移到矽晶圓上，因此，中芯國際被認為只能使用7nm（7奈米）節點來生產晶片，現在該公司製程處於充滿迷霧的謎團之中。
華為的新款筆電Mate Book Pro內建HarmonyOS（鴻蒙作業系統），並搭載華為旗下海思晶片設計部門設計的麒麟X90晶片。
一位爆料者透露，X90是重新設計的麒麟9010，其處理器（CPU）的核心佈局不同。在接下來的幾天內外界可望看道這款晶片的深入評論即將發布。
麒麟9010 AP被用於華為2024年4月發布的智慧手機Pura 70旗艦系列，它是採用中芯國際的7nm N+2工藝節點製造。
然而，中國一家新聞頻道報導一些令人震驚的內幕訊息。根據媒體報導，實際上，X90是採用中芯國際的5nm N+3節點製造。
去年，《phonearena》報導幾條有關中芯國際無需使用EUV即可生產5nm晶片的傳聞。
中芯國際利用DUV機台生產5nm晶片
其中一則報導爆料，中芯國際使用在美國制裁前購買的舊款深紫外線(DUV)光刻機，來製造5nm晶片。在矽晶片上重複曝光，使得電路圖案能夠克服使用DUV的193nm波長對5nm所產生的模糊度。
爆料人@Jukanlosreve 在美國社交媒體「X」發表一條推文說，中國官媒《央視》曾報導中芯X90 5nm節點。另一位X用戶@zephyr_z9聲稱麒麟X90的電晶體密度為每平方毫米1.25億個電晶體，使得它的密度低於台積電的5nm節點（每平方毫米約1.38億個電晶體），但接近三星代工廠5nm 節點的密度。令人驚訝的是，麒麟X90似乎是利用DUV光刻機台製造出來。
並非所有華為與中芯消息都是正面的。據報導披露，一位分析師發現，中芯國際每個月生產3,000片晶圓，但是良率只有20%左右。大多數晶圓代工廠在開始大規模生產晶片之前都希望看到至少有70%的良率。
儘管產量低迷，但是如果中芯國際能夠使用DUV機台生產5nm晶片，這將引起美國國會議員的擔憂，他們擔心華為即使在美國制裁的情況下仍有能力為中國軍方和人工智慧（AI）設計尖端矽片。
