台積電前技術研發暨企業策略發展資深副總經理羅唯仁7月底以75歲高齡退休時，傳出可能將N2（2奈米）、A16、A14及A14製程技術帶走，回鍋老東家英特爾出任副總裁，這引起台積電提告，台灣高檢署11月26日搜索羅唯仁住處並扣押股票、不動產，但是英特爾發表聲明否認台積電的指控，並歡迎羅唯仁回鍋。
美國科技新聞網站《Tom’s Hardware》報導，英特爾執行長陳立武全力支持備受爭議的新進員工羅唯仁，台積電指控羅唯仁帶走公司機密O陳立步在內部備忘錄強調英特爾嚴格的道德準則，以應對這場備受矚目的訴訟。
英特爾陳立武力挺帶槍投靠的羅唯仁
台積電認為，羅維仁在公司多年的工作經歷掌握寶貴的商業機密，他可能會將這些機密洩露給英特爾，從而使英特爾獲得競爭優勢，台積電已對羅唯仁提起訴訟，指控他違反競業禁止和保密協議。
26日，針對這場智慧財產的訴訟，英特爾（ECO）陳立武在一份內部備忘錄裡面向員工保證，公司全力支持羅唯仁，並且反駁所有指控，稱其毫無根據，辯稱公司「擁有嚴格的政策和管控措施，嚴禁使用或轉讓任何第三方機密資訊或智慧財產權」。
羅唯仁於2025年10月加入英特爾，擔任執行副總裁，7月他剛離開台積電，結束長達21年的台積電生涯，在2004年之前羅唯仁曾在英特爾工作。羅唯仁曾是台積電的高階主管，負責研發和生產營運。他為業界帶來獨特的視角，憑藉在晶片設計和量產方面的豐富經驗，這對任何半導體公司來說都是不可或缺的技能。
英特爾18A許多技術與台積電N2不同
羅唯仁的經驗和帶走的資料能幫助英特爾突破瓶頸？《Tom’s Hardware》的報導分析效果甚微，原因有三個。
首先，英特爾18A（相當於台積電的2奈米）已經量產，許多技術都與台積電N2和A16不同，舉例來說，18A採用圖案整形技術（pattern shaping），但是台積電的N2不用；同時英特爾18A使用 PowerVia，但是台積電A16採用「超級電軌（SPR）」晶背供電，兩邊原理各不相同。
再者，英特爾的18A晶片已經投入大規模生產，這是首款量產2奈米製程的晶片，18採用英特爾的RibbonFET環柵電晶體和 PowerVia背面供電技術，只有英特爾工程師能夠調校，降低缺陷密度，進而提升關鍵尺寸均勻性。
英特爾14A和台積電A14採用設備不同
最後，說到更為複雜的製程節點，英特爾的14A和台積電的A14同樣將會存在明顯差異，因為14A計劃在關鍵層使用High-NA EUV曝光設備，台積電A14採低數值孔徑EUV搭配多重曝光。
A14指的是台積電的1.4奈米（Angstrom）製程技術，是該公司目前最先進的邏輯製程技術，台積電A14製程預計在2028年量產，但不會採用高數值孔徑（High-NA）的EUV曝光機，而是使用標準型EUV技術。主要考量High-NA EUV的成本效益，因為其單價高昂，而且對A14製程來說，並非絕對必要。台積電計劃透過複雜的多重曝光技術，來達成與High-NA EUV相似的設計複雜性，從而降低生產成本。
但是，英特爾的14A製程會採用高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影設備來提升晶片密度與效能，這是該製程技術的關鍵投資。此技術預計用於2027年左右的量產階段，能將晶片尺寸縮小，進一步延伸摩爾定律。
