美國對中國半導體製造技術出口設下嚴格限制，迫使中國政府力求自給自足，10年前就定下遠大的目標，最近業界又喊出，4年後晶片自給率將達8成。
中國 2015年宣布「中國製造 2025」，目標之一是2020年時將其晶片產量由當時的不到10%提高至2020年的40%，2025年則達到70%。
但這樣的雄心壯志，如今看來已經淪為口號，研究機構相繼攤出數據打臉，市調機構IC Insights的統計顯示，中國2020年晶片自足率僅16%，排除台積電和三星電子（Samsung Electronics）等業者，真正本土製造更是不到10%，僅為6%，與40%的目標相距甚遠。
此外，IBS的數據則顯示，中國晶片自給率在2024年僅33%。
晶片自給率未達標，中國卻已設下更遠大目標
中國政府不氣餒，準備再接再勵，在2026年至2030年的五年規劃中，提出了科學技術「自立自強」的目標，將半導體定位為戰略領域。中國國務院總理李強在3月份的全國人民代表大會還強調，要把半導體培育成新興產業的支柱。
呼應中國政府的方針，在北京舉行的一場半導體國際展覽會上，北方華創董事長趙晉榮、長江存儲董事長陳南翔、大股東為中芯國際的北方積體電路技術創新中心總經理康勁等13人提出了發展半導體產業的5年建議，力爭2030年自給率達到80%，追趕美國。
《日經亞洲評論》（Nikkei Asia）和《路透》（Reuters）報導，這些半導體高層們矢言，要透過加快提昇技術和擴大產能達到上述目標，在美國管制半導體技術出口中國的背景下，加緊建構中國自主供應鏈。
具體而言，這些半導體高層們的理想是，首先建設一座製造和測試設備完全中國製造的7奈米晶片生產線，並實現14奈米半導體穩定生產。
他們還建議打造一家「中國版本艾司摩爾（ASML Holding）」，達到極紫外線（EUV）光刻機器國產化的目標。此外，未來新建的半導體需採用至少50%的國產設備，藉此加速整個供應鏈的國產化。
半導體廠加快提昇技術和擴產，惟關鍵技術遠落後仍是要害
事實上，中國半導體大型企業也正加快擴大產能，例如長江存儲科技正在湖北省武漢市建設第3座工廠，計畫2026年底投產。有人認為，長江存儲製造的NAND快閃記憶體與日、美、韓廠商技術相當或已經接近，也有消息稱蘋果（Apple）考慮在iPhone中使用其記憶體，以降低成本和規避美國技術出口管制的爭議。
中芯國際則表示，2026年的投資水準將與2025年歷史新高持平，約為81億美元，目標是在北京市內打造新工廠。
不過，中國「2025中國製造」訂下的目標已經遠遠落後，要在短短的幾年內，且在美國嚴格管制半導體技術流入中國的背景下，將先前落後的進度補上，並且快速達到8成的門檻，是一件相當艱難的任務。
更重要的是，雖然中國半導體主管們希望打造一家「中國版」愛司摩爾，事實上，中國企業與外國企業在光刻和其他晶片製造方面，仍存在顯著的技術差距。
