AI高頻寬記憶體（HBM）需求大爆發，壓縮其他記憶體產能，並打破了過去產業固有的循環週期模式，進入一個數十年難得一見的榮景。
瑞銀（UBS）最近發布一份報告指出，由於HBM不斷蠶食傳統DRAM產能，再加上伺服器更新潮的龐大需求，讓記憶體製造廠現有產能難以負荷。與此同時，供給端也無法釋出新產能，由於南韓三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）和美國美光（Micron）三巨頭盤踞市場，它們且缺乏擴充傳統DRAM產能的動機，結果抑制了整體產業的擴產能力和競爭，市場平抑價格的機制儼然已經失靈。
在供需失衡持續惡化的情況下，記憶體價格只能不斷上漲。瑞銀形容，現在產業正處於「30年一遇」的超級週期，時間將延續至2027年第4季。
記憶體產業處於30年一遇的榮景
無獨有偶，戴爾科技（Dell）執行長 Michael Dell 於當地時間4月7日出席美國銀行 （BoA）的活動時表示，隨著AI基礎設施中，每個加速器的記憶體容量和系統規模的同步增長，記憶體總需求量將增長625倍。根據他的推算，2022年最受歡迎的AI加速器，即輝達（NVIDIA）的H100 配備了80 GB 的 HBM3，預計到 2028年，容量將攀升至2 TB，換算之下增加25倍以上。與此同時，他估計資料中心部署AI加速器的速度將成長25倍，將這兩個成長倍數相乘，就得到了他所說的625倍。
由於驅動AI所需的HBM爆炸性增長，持續壓縮傳統的DDR產能，瑞銀估計，2026年底前，全球前段（整合元件晶圓廠、晶圓代工廠和記憶體晶圓廠）DRAM廠每月HBM產能將達到50萬片（12吋晶圓），佔整體產業約25%，2027年時比例將升高至31%。
這意味著原本用於標準DRAM生產的大量生產線，將永久地轉為製造HBM。過去DRAM產業總是在「過剩、崩跌、出清、反彈」之間循環，但這次記憶體行情與往常迥異，彷彿展開一場結構性重組。
需求熱、產能受限，記憶體供需失衡難解
根據瑞銀，除了HBM之外，其他種類DRAM需求也蠢蠢欲動，時序即將進入伺服器更新旺季，傳統的DRAM像是企業市場專用的DDR5需求將開始釋出。再者，AI基礎設施的擴張，也不斷帶動固態硬碟（SSD）的買氣。
這意味著，供應方必須開出更多的產能來應付即將到來得需求高峰，但實際上卻是窒礙難行。瑞銀指出，一個限制擴充供應量的因素在於，除了中國以外，幾乎所有晶圓廠擴產都集中在HBM，包含三大巨頭在內，新增非HBM產能的意願都不高。
整體而言，由於AI革命（HBM）和傳統IT基礎設施更新（伺服器）需求龐大，同時供應商產品卻高度集中，再加上技術壁壘的限制，過去快速、無序擴充產能填補缺口的情景將不復再見。
如果瑞銀的預測成真，將意味著這次的週期對全球半導體供應鏈將產生深遠影響，對於三星、SK海力士和美光三大巨頭而言，這意味著更豐沛的獲利，以及更穩固的定價權，而它們的資本支出和研發也會更傾向於HBM。對於下游伺服器製造商、資料中心營運商和AI企業而言，這可能意味著關鍵元件供給吃緊，以及成本上升的局面恐難以改善。
